摘要：2025年5月4日，激光及光电技术会议（Conference on Laser and Electro-Optics, CLEO）在美国长滩市召开，课题组博士生苏锦伟参加了此次会议并现场交流研究工作。
2025年5月6日至5月10日，课题组博士生苏锦伟赴美国长滩市参加了全球激光与光电子器件领域最具影响力的学术会议之———激光、光电技术会议（Conference on Laser and Electro-Optics, CLEO）。本次会议汇聚了来自学术界、产业界的数千名专家，围绕激光技术、光电子器件、量子光学等前沿领域展开交流。会议期间，苏锦伟通过口头报告、学术交流、海报展示及产业会展等活动，系统梳理了集成光电子领域的最新动态，并基于其研究方向与国内外研究团队交换了观点。
学术成果展示：微转印高速调制器
在5月8日的“PostDeadline Paper V”分会场中，苏锦伟以《Low-Loss and High-Speed Heterogeneous Lithium Tantalate-on-Si3N4 Modulator via Micro-Transfer Printing》为题进行了12分钟口头报告。报告聚焦微转印工艺在高速调制器芯片制造中的创新应用，提出了一种基于微转印异质集成钽酸锂-氮化硅光电子芯片平台的方案，其电光带宽达到67 GHz，传输速率达250 Gbps，同时兼容超低损耗氮化硅商业流片平台。实验结果表明，该技术有望在数据中心光互连和边缘计算场景中可显著降低能耗与延迟。报告结束后，多位学者针对技术可扩展性、工艺兼容性等问题展开讨论。有学者建议进一步探索该技术与光电共封装（CPO）架构的协同优化；产业界则关注其规模化生产的可行性。此次报告不仅验证了技术路线的学术价值，也为后续产学研合作奠定了基础。
学术前沿动态：微转印异质集成技术的应用
会议期间，苏锦伟重点关注了微转印异质集成技术的前沿研究。在关于高速调制器的专题报告中，Ghent团队展示了基于钽酸锂-硅的高性能调制器优化方案，其传输速率突破300Gbps，适用于短距数据中心场景。此外，多篇报告聚焦高阶调制格式（如PAM4、QAM）与新型材料（如铌酸锂薄膜、钽酸锂薄膜）的结合，揭示了未来调制器在带宽、线性度及功耗方面的突破方向。
此次参会明确了集成光电子技术在“算力时代”的核心价值。期待未来通过持续创新，推动学术成果向产业落地转化。
图1：论文作者在会议现场作报告
图2：听取学术报告
图3：参加海报展览
